| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 79pF @ 25V |
| Power - Max | 360mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 248
|
1.40
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.85
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
58
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
38 896
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-7N |
|
|
ALTERA
|
8
|
1 590.00
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-7N |
|
|
ALT
|
32
|
1 518.45
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-7N |
|
|
|
|
2 922.64
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-7N |
|
|
ALTERA
|
3 744
|
|
|
|
|
|
EPM3256ATC144-7N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
43
|
|
|
|
|
|
KXO-V97 100.0 MHZ |
|
Кварцевый генератор 100МГц, тристабильный выход
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
KXO-V97 100.0 MHZ |
|
Кварцевый генератор 100МГц, тристабильный выход
|
|
|
620.00
|
|
|
|
|
KXO-V97 100.0 MHZ |
|
Кварцевый генератор 100МГц, тристабильный выход
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
Si9435BDY |
|
P-channel 30-v (d-s) mosfet
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI9435BDY |
|
P-channel 30-v (d-s) mosfet
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
TLC5620CD |
|
4-канальн. 8-bit ЦАП последовательный (Voltage output, serial interface, Vcc=4.75 to ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLC5620CD |
|
4-канальн. 8-bit ЦАП последовательный (Voltage output, serial interface, Vcc=4.75 to ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TLC5620CD |
|
4-канальн. 8-bit ЦАП последовательный (Voltage output, serial interface, Vcc=4.75 to ...
|
|
|
|
|