BT152-800R.127

Тиристор 20A 800V

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BT152-800R.127 (WEEN/NXP)	4 113	62.84

Версия для печати

Технические характеристики BT152-800R.127

Производитель	NXP
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.746 г
Bag Type	800 В
Bale Length	13 А
Bandwidth	1.75 В
Base Size	32 мА
Base Type	1 мА
Время включения	2 мкс
Barrel Depth	70 мкс
Barrier Type	NXP
Корпус (размер)	TO-220AB
Рабочая температура	-40...125 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C27		DC COMPONENTS	47 252	2.94
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS	2 201	1.57
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS
BZV55-C27
BZV55-C27		PHI
BZV55-C36.115		NXP
BZV55-C36.115		NEX-NXP
BZV55-C36.115
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V		39 918	1.10 >100 шт. 0.55
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	NXP
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	КИТАЙ
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	HOTTECH	13 360	1.92 >100 шт. 0.96
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	KLS
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	PANJIT
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	YANGJIE
BZV55C4V3	Стабилитрон 0,5W 4,3V	LUGUANG	31 105	1.94 >100 шт. 0.97
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	9 264	8.83
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO