BT152-800R.127

Тиристор 20A 800V

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BT152-800R.127 (WEEN/NXP)	4 113	68.74

Версия для печати

Технические характеристики BT152-800R.127

Производитель	NXP
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.746 г
Bag Type	800 В
Bale Length	13 А
Bandwidth	1.75 В
Base Size	32 мА
Base Type	1 мА
Время включения	2 мкс
Barrel Depth	70 мкс
Barrier Type	NXP
Корпус (размер)	TO-220AB
Рабочая температура	-40...125 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C36.115		NXP
BZV55-C36.115		NEX-NXP
BZV55-C36.115
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAMICON
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С			28.80
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAM
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JB
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	9 409	9.27
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом	INFINEON
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом			100.00
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом	Infineon Technologies
SPP02N60S5	6.0A 600В 3.0 Ом	INFINEON TECH