|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 707
|
2.67
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
14 655
|
8.93
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
12 435
|
3.70
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
11.41
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
6 691
|
6.20
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
2 916
|
4.57
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
2 208
|
5.07
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
14 400
|
3.52
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
|
21
|
16.65
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
NXP/NEXPERIA
|
1 808
|
33.01
|
|
|
|
HEF4049BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
373
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
|
|
17.04
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
74
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACP |
|
Линейный отриц. СН (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
476
|
|
|
|
|
PDTC123ET |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PDTC123ET |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PDTC123ET |
|
|
|
2 400
|
4.62
|
|
|
|
PDTC123ET |
|
|
PHILIPS
|
10 500
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
SA614AD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
121
|
|
|