Версия для печати
Технические характеристики AD8564ARZ

Корпус	16-SOIC
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Тип выхода	CMOS, TTL
Число элементов	4
Тип	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	CMOS, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		77 312	1.12
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	7.56
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	8 418	2.12
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	5.71
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	34 061	2.47
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	1 422 117	1.38
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	714 148	1.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	101	1.72
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	1 635 604	2.00  >100 шт.   1.00
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		FQ18-4ZK (БЛ.РОЗ.)					279.92
		INA169NA/250		ИМС датчика тока			321.20
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока			321.20
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMEN
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	TEXAS
		INA169NA/250		ИМС датчика тока	4-7 НЕДЕЛЬ	223
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220		1	405.72
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	NSC
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	США
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS INSTRUMENTS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	TEXAS
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	HGSEMI	612	41.84
		LM338T		ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220	4-7 НЕДЕЛЬ	275
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA	3 568	161.47
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220		192	168.00
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MUR	6 779	56.02
		LQH55DN470M03L		SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220	MURATA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"