ШУНТ 50А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)

Шунты измерительные стационарные взаимозаменяемые с номинальным падением напряжения 75 мВ для расширения диапазонов измерений показывающих и регистрирующих приборов

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ШУНТ 50А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)	2 261	151.20
ШУНТ 50А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)	2 261	151.20

Шунты измерительные стационарные взаимозаменяемые с номинальным падением напряжения 75 мВ предназначенные для расширения диапазонов измерений показывающих и регистрирующих приборов постоянного тока.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Номинальный ток 50А
Номинальное падение напряжения 75 мВ
Допустимая погрешность 0,5%
Средний срок службы 10лет

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К 176 ИД2		RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		476	32.02
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	40.28
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 391	16.96
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...		931	28.52
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	БРЯНСК	2 555	38.16
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	МИНСК
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	УЛЬЯНОВСК
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	RUS
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	ЭЛЬТАВ	3 650	16.96
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	257
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	3194
КТ817В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...	4316
ШУНТ 10А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)			3 560	151.20
ШУНТ 10А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)			3 560	151.20
ШУНТ 20А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)			1 877	151.20
ШУНТ 20А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)			1 877	151.20
ШУНТ 20А 75MV (АНАЛОГ-ШСМ)		КИТАЙ	3	207.65