2SC2240GR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SC2240GR		33.40
2SC2240GR		33.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		3 973	18.90
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	584	13.61
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	7 144	16.80
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 280	16.80
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	51	11.34
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	2480
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	3
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	400
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	4356
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	595
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	6447

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт		752	24.24
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOS
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	ФИЛИППИНЫ
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...		1 401	20.12
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOS
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	СИНГАПУР
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	ISC	324	30.92
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	JSMICRO	934	18.39
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SANYO
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93			144.00
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SAN
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ST MICROELECTRONICS
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	NO TRADEMARK
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	STMICROELECTR
2SD1047	Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ISCSEMI
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		8 380	1.06
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	2 416	1.04
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	1 176	2.44
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	204	4.55
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	4 300	2.33
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KEEN SIDE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	RUME	8 000	1.52
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	NEC
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц			44.88
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMEN
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	1
NE5534P	Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	250