MJD117G
|
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
MJD112G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MJD112G |
|
ONS | 62 | 68.61 | ||
|
|
|
MJD112G |
|
60 |
|
|||
| S07M-GS08 | VISHAY | 40 817 | 6.03 | |||||
| S07M-GS08 | VISHAY |
|
|
|||||
| S07M-GS08 | 23 000 | 4.60 | ||||||
 |
|
S1MA-E3/5AT |
|
Vishay/General Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
S1MA-E3/5AT |
|
VISHAY |
|
|
||
| TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс | TOSHIBA |
|
|
|||
| TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс |
|
28.00 | ||||
| TLP181BL-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 3,75kV Uce=50V If= 50mA Ton/Toff=2/3мкс | TOS |
|
|
|||
| ZMM12 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| ZMM12 |
|
7.00 | ||||||
| ZMM12 | DIOTEC | 5 917 | 1.44 | |||||
| ZMM12 | DIOTEC ELECTRONICS CORP |
|
|
|||||
| ZMM12 | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG | 71 428 |
|
|||||
| ZMM12 | HOTTECH | 3 840 | 1.03 |
