К294КН5АТ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 10 КОМ 5% | UW |
|
|
|||||
| 1206 10 КОМ 5% | RCT |
|
|
|||||
| 1206 10 КОМ 5% | EXTRA | 3 984 |
0.63 >500 шт. 0.21 |
|||||
| 1206 10 КОМ 5% | UWA |
|
|
|||||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | ATMEL | 196 | 31.50 | |||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... |
|
|
||||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|||
| AT24C02B-PU |
|
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 716 |
|
|||
 |
 |
MJD112G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MJD112G |
|
ONS | 62 | 70.06 | ||
|
|
|
MJD112G |
|
60 |
|
|||
 |
|
S1BB-13 |
|
Diodes Inc |
|
|
||
|
|
|
S1BB-13 |
|
DIODES INC. | 6 000 |
|
