| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CRCW12061K20JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061K20JNEA |
|
|
VISHAY
|
21 332
|
|
|
|
|
|
CRCW12061K20JNEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
 |
 |
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
3 276
|
10.89
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
|
|
29.68
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛА1 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ, повышенная помехоустойчивость и нагрузочная способность, ...
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
|
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
|
1 897
|
5.55
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ДНЕПР
|
3 014
|
4.20
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ТОМСК
|
25 153
|
4.20
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КВС111А |
|
|
НИИПП
|
800
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
|
53 398
|
7.56
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
372
|
1.09
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
НИИПП ТОМСК
|
168
|
8.27
|
|
Версия для печати
