| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 607
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
15 949
|
1.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
470 686
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
571 504
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
296
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 312
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
136 196
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
120
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
149 729
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
209
|
13.93
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
|
20.68
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ROHM
|
753
|
37.34
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
417
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 623
|
3.21
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
1 952
|
6.82
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
748
|
|
|
|
|
|
MC33079DR2G |
|
перационный усилитель, Is 8.4mA, Vcc,В 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33079DR2G |
|
перационный усилитель, Is 8.4mA, Vcc,В 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC33079DR2G |
|
перационный усилитель, Is 8.4mA, Vcc,В 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33079DR2G |
|
перационный усилитель, Is 8.4mA, Vcc,В 10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
|
|
3 421
|
74.00
|
|