| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG DEVICES
|
3
|
225.09
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD8608ARZ |
|
4 Операционный усилитель CMOS, DigiTrim (цифр. подстройка Uсм), вх./вых. размах до шин ...
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 338
|
2.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 685
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
749 107
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
431 259
|
1.05
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
29 526
|
1.21
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
95 484
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
131 289
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
222 960
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
ONS
|
1
|
11.51
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
ONSEMI
|
588
|
1.54
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
830
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
825
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40LT1G |
|
|
675
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
313
|
10.33
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
|
20.68
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ROHM
|
721
|
60.63
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
417
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
262
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 605
|
2.94
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
672
|
7.01
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
748
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
3025
|
|
|
|
|
|
LM393DT |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
1504
|
|
|
|