| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
|
|
70.24
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
14
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
RX27-1 12 ОМ 5W 5% / SQP5 |
|
|
|
1
|
5.59
|
|
|
|
|
RX27-1 12 ОМ 5W 5% / SQP5 |
|
|
XIN HUA
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
6.20
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
|
|
6.04
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
YOUTAI
|
7 759
|
2.25
|
|
|
|
|
SN74LVC1G126DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
439
|
|
|
|
|
|
TL494IDR |
|
PWM-Reg 0,2A 7-40Vcc
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
3 963
|
15.81
|
|
|
|
|
TL494IDR |
|
PWM-Reg 0,2A 7-40Vcc
|
|
8 320
|
12.85
|
|
|
|
|
TL494IDR |
|
PWM-Reg 0,2A 7-40Vcc
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL494IDR |
|
PWM-Reg 0,2A 7-40Vcc
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
225
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|