| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1533ИР24 |
|
|
|
1
|
1 860.00
|
|
|
|
|
1533ИР24 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
79
|
1 929.83
|
|
|
|
|
1533ИР24 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
1533ИР24 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
5MF 1.5-R |
|
|
Bel Fuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
ACT4060SH |
|
DC/DC Преобразователь напряжения (Step-Down) 1.3-20V/2A, Fmax=400kHz
|
ACTIVE
|
|
|
|
|
|
|
ACT4060SH |
|
DC/DC Преобразователь напряжения (Step-Down) 1.3-20V/2A, Fmax=400kHz
|
ACT
|
|
|
|
|
|
|
ACT4060SH |
|
DC/DC Преобразователь напряжения (Step-Down) 1.3-20V/2A, Fmax=400kHz
|
|
|
493.60
|
|
|
|
|
ACT4060SH |
|
DC/DC Преобразователь напряжения (Step-Down) 1.3-20V/2A, Fmax=400kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
583
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
933
|
219.91
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
216
|
289.30
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|