RC0603FR-072K26L
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | RC0603 |
| Сопротивление (Ом) | 2.26K |
| Мощность (Ватт) | 0.1W, 1/10W |
| Composition | Thick Film |
| Температурный коэфициент | ±100ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±1% |
| Size / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Высота | 0.022" (0.55mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 0603 (1608 Metric) |
| Tolerance | ±1% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TCNT2000 | VISHAY |
|
|
|||||
| TCNT2000 |
|
|
||||||
 |
КД410АМ | 6 732 |
1.84 >100 шт. 0.92 |
|||||
|
|
КД410АМ | ИЗОТОН |
|
|
||||
|
|
КД410АМ | ИЗОТОП | 10 781 | 1.68 | ||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 35.91 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 670 | 33.12 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| ТВС-90ПЦ 8 |
|
|
||||||
| УН-9/18-0,3 УМНОЖИТЕЛЬ | 92 | 294.00 |
