TCNT2000

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
RC0603FR-072K26L		YAGEO	275 045	0.40 >1000 шт. 0.08
RC0603FR-072K26L		YAGEO	18 460
RC0603FR-072K26L			80
TB6560AHQ[O]	Мультимедиа преобразователь	TOSHIBA
TB6560AHQ[O]	Мультимедиа преобразователь			860.00
TB6560AHQ[O]	Мультимедиа преобразователь	TOS
TB6560AHQ[O]	Мультимедиа преобразователь	4-7 НЕДЕЛЬ	178
TEFT4300	Фототранзистор инфракрачный	VISHAY	380	20.06
TEFT4300	Фототранзистор инфракрачный			62.40
TEFT4300	Фототранзистор инфракрачный	VISHAY
TEFT4300	Фототранзистор инфракрачный	Vishay/Semiconductors
TEFT4300	Фототранзистор инфракрачный	1
TSAL4400	Светодиод инфракрасный	VISHAY
TSAL4400	Светодиод инфракрасный		2 680	27.75
TSAL4400	Светодиод инфракрасный	Vishay/Semiconductors
TSAL4400	Светодиод инфракрасный	VISHAY
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		406	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР