Версия для печати
Технические характеристики BT149G.126

Производитель	NXP
Количество в упаковке	2000 шт.
Вес	0.350 г
Bag Type	600 В
Bale Length	0.8 А
Base Size	0.2 мА
Barrier Type	NXP
Корпус (размер)	SOT54A
	SCRs

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	1	11.89
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	237 734	2.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	43 963	3.09
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		41 247	1.50  >500 шт.   0.50
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.49
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	1 289 220	1.19
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	426	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	69 683	1.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.60
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	2 863	2.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 432 151	1.14  >100 шт.   0.57
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	248 149	2.46
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	113 715	3.92
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	226 400	1.50  >500 шт.   0.50
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	4	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	8 384	1.02  >500 шт.   0.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 686	1.49
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	119 571	1.50  >500 шт.   0.50
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOUYANGJIEEL	591 116	1.96  >100 шт.   0.98
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		56 056	1.82  >100 шт.   0.91
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	8.59
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 196	2.96
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	9 924	3.69
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	30	8.66
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	143	3.65
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	534 246	1.72  >100 шт.   0.86
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	1 592 132	1.65
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	5	2.04
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	723 017	1.10
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KEEN SIDE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	3611
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	611
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	RUME	480	1.14  >100 шт.   0.57
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ASEMI	1 768	1.64  >100 шт.   0.82
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	INFINEON	2 310	3.16
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NUOVA MISTRAL
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NXP	3 864	3.16
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S			7.24
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	PHILIPS
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	INFINEON	595
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NUOVA MISTRAL	1 144
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	PHILIPS	770
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	КИТАЙ
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	INGINEON
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	NXP	422
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	JSCJ	23 224	5.71
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	4149
		BCV47		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S	4830
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	VISHAY	637	55.79
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LIT	4	21.23
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%			31.48
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE ON OPTOELECTRONICS
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	27
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	INFINEON
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	EVERLIGHT	1 412	14.88
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	FAIRCHILD	800	28.89
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	LITE-ON
		CNY17-3		Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%	3084
		TDA2614		УНЧ 6W	NXP
		TDA2614		УНЧ 6W	PHILIPS
		TDA2614		УНЧ 6W			82.48
		TDA2614		УНЧ 6W	NXP
		TDA2614		УНЧ 6W	PHILIPS
		TDA2614		УНЧ 6W	СИНГАПУР
		TDA2614		УНЧ 6W	4-7 НЕДЕЛЬ	96

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"