FEP30GP-E3/45


Купить FEP30GP-E3/45 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FEP30GP-E3/45 DIODE FAST DUAL 30A 400V TO-247A DIODE FAST DUAL 30A 400V TO-247A
Версия для печати

Технические характеристики FEP30GP-E3/45

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3V @ 15A
Current - Reverse Leakage @ Vr10µA @ 400V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Diode TypeStandard
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаThrough Hole, Radial
Корпус (размер)TO-3P-3, TO-247-3
КорпусTO-3P
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


FEP30GP-E3/45 datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    CBB60 70UF 450V (SAIFU)       37 427.98 
    CBB60 70UF 450V (SAIFU)       37 427.98 
    CBB65 150UF 450V (SAIFU)       48 740.96 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   INTERNATIONAL RECTIFIER 286 93.63 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт     584 101.40 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   EVVO 569 72.67 
IRFP064N Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт   JSMICRO 1 074 53.49 
    КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 50 ГР.     ПИМ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ПРОКЛАДКА СЛЮДЯНАЯ 2025 / TO-3P,TO-247       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход