КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 50 ГР.

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
08055C104KAT2A	Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%	AVX
08055C104KAT2A	Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%		3 488
08055C104KAT2A	Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%	AVX
08055C104KAT2A	Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%	AVX Corporation
08055C104KAT2A	Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%	KYOCERA-AVX
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C		1	18.96
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	КРЕМНИЙ
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ANK
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	БРЯНСК
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ВОРОНЕЖ
7812C	Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	4-7 НЕДЕЛЬ	168
CRAMOLIN PLASTIK, 400 МЛ
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	355	94.07
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт		584	101.40
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	ФИЛИППИНЫ
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	INFINEON
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	1
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	EVVO	569	73.00
IRFP064N	Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт	JSMICRO	1 074	53.74
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	США
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
REF195GSZ	ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	200