LQG18HN47NJ00D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
LQG18HN47NJ00D	3 194	3-4 недели Цена по запросу
LQG18HN47NJ00D (MUR)	5 328	5.45
LQG18HN47NJ00D (MURATA)	440	10.32

Индуктивность чип, SMD монтаж
Номинал 47нГн
Импеданс 700мОм
Точность 5%
Ток 400мА
Частота резонанса 100МГц

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц

LQG18HN47NJ00D datasheet
43,09kB
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
10.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ	256	15.50
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		11 630	2.33
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	TECH PUB	44 751	4.21
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			62.64
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	65	14.69
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ICS COMPONENTS	144	27.53
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	TECH PUB	1 028	7.04
LQG18HN22NJ00D		MUR	22 892	6.46
LQG18HN22NJ00D			80
LQG18HN22NJ00D		MURATA
XYA009-B (DB9F-DB9F)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
XYA009-B (DB9F-DB9F)