LQG18HN22NJ00D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQG18HN22NJ00D (MUR)	48 317	3.17
LQG18HN22NJ00D	80	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
10.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ	288	15.50
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	DC COMPONENTS	42 284	1.55
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	PHILIPS
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	NXP
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	NXP	307
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	PHILIPS
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	KINGTRON
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	PHI
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	NEXPERIA	42	2.12
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	NXP/NEXPERIA
BZV55-C12	Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA	KEEN SIDE	195	1.41 >500 шт. 0.47
LD2981ABU33TR		ST MICROELECTRONICS
LD2981ABU33TR		ST MICROELECTRONICS SEMI
LD2981ABU33TR		STMicroelectronics
LD2981ABU33TR			2 000	18.04
LQG18HN47NJ00D	Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц		3 194
LQG18HN47NJ00D	Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц	MUR	9 775	3.46
LQG18HN47NJ00D	Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц	MURATA	440	9.72
MB8S		SEMTECH
MB8S		FAIR
MB8S			14 400	1.18
MB8S		FSC
MB8S		MCC
MB8S		FAIRCHILD
MB8S		FAIRCHILD	472
MB8S		GALAXY
MB8S		Fairchild Semiconductor
MB8S		КИТАЙ
MB8S		YJ	86 904	3.10
MB8S		DIOTEC	125	6.80
MB8S		MIC
MB8S		YT
MB8S		ONS
MB8S		KINGTRONICS
MB8S		DC COMPONENTS	27	6.32
MB8S		ONS-FAIR
MB8S		GALAXY ME
MB8S		SEP
MB8S		HOTTECH	32 577	2.07
MB8S		YANGJIE	54 000	2.03
MB8S		YANGJIE (YJ)
MB8S		YS	720	38 719.68
MB8S		LGE
MB8S		<>	24 000	1.03
MB8S		SUNTAN	4	2.91
MB8S		YANGZHOU YANGJIE
MB8S		KEEN SIDE	236	1.15
MB8S		34
MB8S		7444