|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
DC COMPONENTS
|
11 999
|
3.41
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
|
5 654
|
1.44
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MOTOROLA
|
8
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
NXP
|
56
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICROSEMI CORP
|
4
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
HOTTECH
|
18 388
|
4.79
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KLS
|
72
|
1.88
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
VISHAY
|
456
|
6.20
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
YJ
|
10 393
|
1.94
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
752
|
1.71
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
9 912
|
4.68
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
5 820
|
8.57
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
28 800
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
434
|
1.75
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.17
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
2 752
|
1.64
|
|
|
|
2SC5200+2SA1943 ПАРА |
|
Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
SILICONIX
|
19
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
|
|
155.76
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
1
|
|
|
|
|
|
KSE350 |
|
PNP 300V, 0.5A, 20W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KSE350 |
|
PNP 300V, 0.5A, 20W
|
|
1
|
113.40
|
|
|
|
KSE350 |
|
PNP 300V, 0.5A, 20W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KSE350 |
|
PNP 300V, 0.5A, 20W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|