BT152-800R.127

Тиристор 20A 800V

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BT152-800R.127 (WEEN/NXP)	2 268	53.96

Версия для печати

Технические характеристики BT152-800R.127

Производитель	NXP
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.746 г
Bag Type	800 В
Bale Length	13 А
Bandwidth	1.75 В
Base Size	32 мА
Base Type	1 мА
Время включения	2 мкс
Barrel Depth	70 мкс
Barrier Type	NXP
Корпус (размер)	TO-220AB
Рабочая температура	-40...125 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C27		DC COMPONENTS	40 012	1.90 >100 шт. 0.95
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS	2 201	1.14
BZV55-C27		NXP
BZV55-C27		PHILIPS
BZV55-C27
BZV55-C27		PHI
BZV55-C27		KEEN SIDE	4 448	1.26 >500 шт. 0.42
BZV55-C27		2752
BZV55-C36.115		NXP
BZV55-C36.115		NEX-NXP
BZV55-C36.115
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAMICON
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С			28.80
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JAM
ECAP 2200/10V 1021 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С	JB
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W		2	635.04
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	204
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	ТАИЛАНД
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	INFINEON
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	1
IRF7389	Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W	EVVO	6 590	6.15
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTOR
MJE13009G	Транзистор биполярный	ONS
MJE13009G	Транзистор биполярный			129.20
MJE13009G	Транзистор биполярный	ON SEMICONDUCTO