RT1206BRE07100RL
|
|
Версия для печати
| Температурный коэфициент | ±50ppm/°C |
| Composition | Thin Film |
| Мощность (Ватт) | 0.125W, 1/8W |
| Сопротивление (Ом) | 100 |
| Серия | RT |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.1% |
| Size / Dimension | 0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm) |
| Высота | 0.026" (0.65mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 1206 (3216 Metric) |
| Tolerance | ±0.1% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0402-2.2КJ | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| 0402-2.2КJ | BOURNS |
|
|
|||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | США |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
|
592.00 | ||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 253 |
|
|||
| RT0805BRD0710KL | YAGEO | 172 554 | 2.07 | |||||
| RT0805BRD0710KL |
|
|
||||||
| RT0805BRD071KL | YAGEO | 75 457 | 1.85 | |||||
| RT0805BRD071KL | 4 000 | 3.11 | ||||||
| RT0805BRD0720KL | YAGEO | 49 360 | 2.46 | |||||
| RT0805BRD0720KL |
|
|
