RT0805BRD0720KL
|
|
Версия для печати
| Допустимые отклонения емкости | ±0.1% |
| Температурный коэфициент | ±25ppm/°C |
| Composition | Thin Film |
| Мощность (Ватт) | 0.125W, 1/8W |
| Сопротивление (Ом) | 20K |
| Серия | RT |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Size / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Высота | 0.024" (0.60mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 0805 (2012 Metric) |
| Tolerance | ±0.1% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7317PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7317PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 74 |
|
|||||
| IRF7317PBF |
|
|
||||||
| IRF7317PBF | INFINEON |
|
|
|||||
| LQM21NN2R2K, 2.2 МКГН, 0805, 10% | MURATA |
|
|
|||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | США |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
|
592.00 | ||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 253 |
|
|||
| RT0805BRD0710KL | YAGEO | 80 988 | 1.99 | |||||
| RT0805BRD0710KL |
|
|
||||||
| RT0805BRD071KL | YAGEO | 38 602 | 1.78 | |||||
| RT0805BRD071KL | 4 000 | 3.16 |
