NAND512R3A2DZA6E
|
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 63-VFBGA |
| Корпус | 63-VFBGA (9x11) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NFM18CC222R1C3D |
|
Керамический фильтр SMD 0603; фильтр подавления ЭМП | MURATA |
|
|
|||
| NFM18CC222R1C3D |
|
Керамический фильтр SMD 0603; фильтр подавления ЭМП |
|
14.44 | ||||
| NFM18CC222R1C3D |
|
Керамический фильтр SMD 0603; фильтр подавления ЭМП | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| NFM18CC222R1C3D |
|
Керамический фильтр SMD 0603; фильтр подавления ЭМП | MUR | 8 815 | 5.24 | |||
| NFM18CC222R1C3D |
|
Керамический фильтр SMD 0603; фильтр подавления ЭМП | MURATA* |
|
|
|||
| RC0603FR-0710K2L | YAGEO | 314 265 |
0.50 >1000 шт. 0.10 |
|||||
| RC0603FR-0710K2L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-0710K2L |
|
|
||||||
| RC0603FR-071K07L | YAGEO | 418 956 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0603FR-071K07L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-071K07L |
|
|
||||||
 |
UCD7242RSJR |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
UCD7242RSJR |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
UCD7242RSJR |
|
|
|
||||
|
|
UCD7242RSJR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 43 |
|
|||
|
|
XC6SLX100T-3FGG484I |
|
Xilinx Inc |
|
|
|||
|
|
XC6SLX100T-3FGG484I |
|
XILINX |
|
|
