NAND512R3A2DZA6E
|
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 63-VFBGA |
| Корпус | 63-VFBGA (9x11) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MURATA | 21 424 |
1.34 >100 шт. 0.67 |
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MUR | 391 039 |
1.41 >500 шт. 0.47 |
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 |
|
3.40 | ||||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MURATA |
|
|
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MURATA* |
|
|
|||
| LMZ12010TZ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LMZ12010TZ |
|
|
||||||
| LMZ12010TZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 782 |
|
|||||
| RC0603FR-0710K2L | YAGEO | 173 563 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||||
| RC0603FR-0710K2L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-0710K2L |
|
|
||||||
| RC0603FR-0722K6L | YAGEO | 160 020 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0603FR-0722K6L | YAGEO | 1 428 |
|
|||||
| RC0603FR-0722K6L |
|
|
||||||
 |
 |
UCD9222RGZT |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
UCD9222RGZT |
|
|
|
|||
|
|
|
UCD9222RGZT |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 232 |
|
