| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
IN74AC251N |
|
|
IK SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IN74AC251N |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
IN74AC251N |
|
|
|
13
|
1 459.72
|
|
|
|
|
IN74AC251N |
|
|
????????
|
|
|
|
|
|
|
IN74AC251N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
Д245А |
|
|
|
14
|
102.30
|
|
|
|
Д245А |
|
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д245А |
|
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
Д245А |
|
|
СЗТП
|
4
|
238.14
|
|
|
|
Д245А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
1 082
|
11.34
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
880
|
24.99
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
84
|
9.70
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 364
|
33.48
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
2 384
|
33.57
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
3580
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
702
|
|
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
|
821
|
545.24
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
ФЕНИКС
|
|
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
КОМ4
|
|
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
ОАО"СМОЛЕНСКИЙ З-Д РАДИОДЕТАЛЕЙ"
|
|
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
СМОЛЕНСК
|
|
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
СЗР
|
600
|
630.25
|
|
|
|
П2Т-5 |
|
Масса переключателя не более 5 г Сопротивление изоляции не менее 1000 МОм ...
|
427
|
|
|
|