| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
PHD3055E |
|
Trenchmos (tm) standard level fet
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PHD3055E |
|
Trenchmos (tm) standard level fet
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
К10-17 0.33МКФ X7R 50В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К10-17 0.47МКФ Y5V 50В |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
800
|
28.70
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 374
|
33.92
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
31985
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
44836
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
|
1 196
|
34.04
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
КРЕМНИЙ
|
872
|
32.79
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
БРЯНСК
|
5 415
|
44.52
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
1749
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
5000
|
|
|
|