| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1N4933 (1A 50V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
|
38
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FSC
|
2 396
|
1.57
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
ONS-FAIR
|
3 160
|
7.21
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
HOTTECH
|
5 549
|
2.96
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
SUNTAN
|
1 461
|
4.32
|
|
|
|
|
BCV26 |
|
Транзистор PNP-Darl 30V 0,5A 0,25W B>4000 S
|
2996
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
100
|
15.12
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
69 668
|
3.03
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
479
|
2.12
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
32 253
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
649
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 499
|
22.08
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
4 923
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|
Версия для печати
