|
Биполярный высоковольтный N-P-N транзистор средней мощности. |
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Transistor Type | NPN |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 500mA, 1.5A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1.4W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-225-3 |
| Корпус | TO225AA |
|
UTCMJE13003 (Биполярные транзисторы) SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КТ8170А1 | 60 | 9.20 | ||||||
| КТ8170А1 | МИНСК | 1 172 | 12.60 | |||||
| КТ8170А1 | ИНТЕГРАЛ | 800 | 26.46 |