SS18

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SS18	31 000	1.41
SS18 (GALAXY ME)	18	5.30
SS18 (HOTTECH)	38 312	1.46 >100 шт. 0.73

Версия для печати

Технические характеристики SS18

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	SMA
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Тип монтажа	Поверхностный
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr	200µA @ 80V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	80V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	850mV @ 1A

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1SS187

Diode (ultra High Speed Switching Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

SS18 datasheet
130.24Kb
2стр.

Синонимы от поставщиков: SS18 ; SS-18 ; SS 18 ; SS — 18 ; SS18 ; диод SS18 ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IR12-21C/TR8
IR12-21C/TR8		EVL
SCS-8	SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	BM	2 071	4.45
SCS-8	SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	TYCO
SCS-8	SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	CONNFLY
SCS-8	SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP		400	11.72
SCS-8	SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	КИТАЙ
SCS-8	SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP	RUICHI	32	3.63
TSAL6200	Инфракрасный диод d=5мм, 940нм, 60мВт			28.00
TSAL6200	Инфракрасный диод d=5мм, 940нм, 60мВт	VISHAY	12 139	6.20
TSAL6200	Инфракрасный диод d=5мм, 940нм, 60мВт	Vishay/Semiconductors
С2-29 0.125 0.1% 22.1К		РЕСУРС