Версия для печати
Технические характеристики 2SB856

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	3.00
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	35
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	35.0
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	25
Корпус	TO220AB

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB857		Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz	HITACHI	26	105.84
		2SB857		Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz		1	81.90
		2SB857		Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz	HIT
		2SB857		Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		2SB857		Биполярный транзистор Si-P, 70/50V, 4A, 40W, 15MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NXP
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NEC	29	7.26
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)			5.00
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ
		2SC1061		Si-N, 50V, 3A, 25W, 8MHz	HITACHI
		2SC1061		Si-N, 50V, 3A, 25W, 8MHz
		2SD863		Биполярный транзистор NPN, 50В, 1A, 0.9W, 150MHz	SANYO
		2SD863		Биполярный транзистор NPN, 50В, 1A, 0.9W, 150MHz			20.44
		NJM4558D			MATSUSHITA
		NJM4558D			JRC	945	23.18
		NJM4558D				16	75.60
		NJM4558D			NJR
		NJM4558D			4-7 НЕДЕЛЬ	442
		SH-083 50K (СП3-38А)				3 920	3.84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"