|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 2.7A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 24LC16B/SN |
|
(SMD) SO8 | MICRO CHIP |
|
|
|||
| 24LC16B/SN |
|
(SMD) SO8 |
|
|
||||
| 24LC16B/SN |
|
(SMD) SO8 | MICRO CHIP | 8 |
|
|||
| 24LC16B/SN |
|
(SMD) SO8 | Microchip Technology |
|
|
|||
|
|
|
2SJ449 |
|
Биполярный транзистор P-канальный , МОП 250В, 6А, 35Вт | NEC |
|
|
|
|
|
|
2SJ449 |
|
Биполярный транзистор P-канальный , МОП 250В, 6А, 35Вт |
|
70.12 | ||
|
|
|
2SJ449 |
|
Биполярный транзистор P-канальный , МОП 250В, 6А, 35Вт | КИТАЙ |
|
|
|
| K4S561632N-LI75T00 | SAM |
|
|
|||||
| K4S561632N-LI75T00 |
|
|
||||||
| K4S561632N-LI75T00 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 528 |
|
|||||
| SN74LVC2G06DCKR | 1 880 | 15.44 | ||||||
| SN74LVC2G06DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 290 |
|
|||||
| SN74LVC2G06DCKR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| SN74LVC2G06DCKR | TEXAS |
|
|
|||||
| SN74LVC2G06DCKR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 532 |
|
|||||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | KEMET |
|
|
|||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В |
|
10.56 | ||||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | KEMET |
|
|
|||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | МЕКСИКА |
|
|
|||
| T491B106K010AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В | KEM |
|
|