| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55-C5V1,115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1,115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1,115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NEX
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1,115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
FAIRCHILD
|
1 365
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
|
1 600
|
1.46
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
KEXIN
|
|
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
MSKSEMI
|
18 362
|
3.58
|
|
|
|
FDV303N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.68A, 0.35W)
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
|
|
117.60
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FJP13009 |
|
NPN 700V, 12A, 100W, 0.7uS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
LL4148 150MA 75V |
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
6 338
|
20.29
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
4 334
|
18.16
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 412
|
20.34
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
200
|
49.44
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
22 419
|
27.25
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
22.06
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
269
|
14.54
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
8 080
|
14.64
|
|