IRFB4310ZPBF
Транзистор N-канальный 100V 75A 250W 0,006R
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6860pF @ 50V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4310ZPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JRB1V102M05001300200000B | JB | 4 264 | 13.26 | |||||
| JRB1V102M05001300200000B |
|
|
||||||
| JRB1V102M05001300200000B | JB CAPACITORS |
|
|
|||||
| MBR0580S1-7 | DIODES INC. |
|
|
|||||
| MBR0580S1-7 | DIODES |
|
|
|||||
| MBR0580S1-7 |
|
|
||||||
| RC0805FR-0712KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0805FR-0712KL | PHYCOMP |
|
|
|||||
| RC0805FR-0712KL | Yageo | 65 202 |
0.66 >500 шт. 0.22 |
|||||
| RC0805FR-0712KL |
|
|
||||||
| RC0805FR-07470KL 0805 1% 470K | YAGEO | 1 760 |
0.85 >1000 шт. 0.17 |
|||||
| RC0805FR-07470KL 0805 1% 470K | 3000 |
|
|
|||||
| TAJC226K016RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В | AVX | 2 240 | 14.94 | |||
| TAJC226K016RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В |
|
72.92 | ||||
| TAJC226K016RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В | AVX |
|
|
|||
| TAJC226K016RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В | AVX Corporation |
|
|
|||
| TAJC226K016RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В | KYOCERA-AVX |
|
|
