IRF9333PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF9333PBF

Power - Max	2.5W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1110pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ST MICROELECTRONICS
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8			222.00
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	STMicroelectronics
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ST MICROELECTRONICS SEMI
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ФИЛИППИНЫ
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ST MICROELECTRO
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	4-7 НЕДЕЛЬ	196
LM431ACM3X		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM431ACM3X		NATIONAL SEMICONDUCTOR
MLRR-3		HAMLIN
STN4NF03L	Транзистор N-МОП n-канальный SOT-223	ST MICROELECTRONICS	654	51.98
STN4NF03L	Транзистор N-МОП n-канальный SOT-223	ST MICROELECTRONICS SEMI	200
STN4NF03L	Транзистор N-МОП n-канальный SOT-223	STMicroelectronics
STN4NF03L	Транзистор N-МОП n-канальный SOT-223
STN4NF03L	Транзистор N-МОП n-канальный SOT-223
STPS2L25U		ST MICROELECTRONICS	5 192	18.15
STPS2L25U				120.48
STPS2L25U		ST MICROELECTRONICS SEMI
STPS2L25U		STMicroelectronics
STPS2L25U