Версия для печати
Технические характеристики IRF8736PbF

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2315pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF8736PbF (MOSFET) 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Производитель: International Rectifier (IRF) IRF8736PbF datasheet 248 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	DIODES	51 992	3.70
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )			118.40
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	DIODES INC.	412
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	Diodes Inc
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	DI
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	MULTICOMP
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	DIOTEC
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	MULTICOMP
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	KLS
		1N5819HW-7-F		Диод Шоттки ((Vr) (Max) 40V, (Io) 1A @ If 450mV @ 1A Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz )	KUU	20 730	1.11
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INFINEON	80 437	12.63
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...		11 280	9.63
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	HOTTECH
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	TR
		IRLML5103TRPBF		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	TRR
		MBRB1045			MOTOROLA
		MBRB1045			ON SEMICONDUCTOR
		MBRB1045			MOTOROLA
		MBRB1045			Vishay/Semiconductors
		MBRB1045
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB	ON SEMICONDUCTOR
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB			36.00
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB	ONS	1 825	19.24
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB	ON SEMICONDUCTOR	2 273
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB	ON SEMIC
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB	ONSEMICONDUCTOR
		MBRS130LT3G		Диод Шоттки 1А, 30В SMB	ON SEMICONDUCTO
		MC33063ADRG4		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	Texas Instruments
		MC33063ADRG4		DC / DC преобразователь инвертирующий 3 ... 40В / 1.5A, - 40 .... +85 C	TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"