IRF7343TRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 12 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | BOURNS | 235 |
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом |
|
|
|||
 |
BZX384-C3V3 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX384-C3V3 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX384-C3V3 |
|
|
|||||
|
|
BZX384-C3V3 | PHILIPS | 792 |
|
||||
| KONTAKT PCC 200ML | CRC |
|
|
|||||
| KONTAKT PCC 200ML |
|
886.60 | ||||||
| KONTAKT PCC 200ML | CRC INDUSTRIES |
|
|
|||||
|
|
SN74AHC04D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
SN74AHC04D | 20 |
|
|||||
|
|
SN74AHC04D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
SN74AHC04D | 20 |
|
|||||
|
|
SN74AHC04D | TEXAS |
|
|
||||
|
|
SN74AHC04D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 423 |
|
