|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1180pF @ 10V |
| Power - Max | 3.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PQFN (5x6) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3216X5R0J226M085AC | TDK |
|
|
|||||
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | 3 | 364.45 | ||
|
|
|
IRFB18N50K |
|
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFR420A |
|
Hexfet® power mosfet | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFR420A |
|
Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER | 212 | 38.16 | |
|
|
|
IRFR420A |
|
Hexfet® power mosfet |
|
79.20 | ||
|
|
|
IRFR420A |
|
Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER | 66 |
|
|
|
|
|
IRFR420A |
|
Hexfet® power mosfet | UMW-YOUTAI |
|
|
|
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 1 600 | 10.60 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
25.88 | ||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 38 524 | 8.29 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| RC0603FR-0768KL | YAGEO | 201 120 |
0.55 >1000 шт. 0.11 |
|||||
| RC0603FR-0768KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-0768KL |
|
|