|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-X7R-0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10%
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAR43CFILM |
|
2xSMD-Schottky 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
16 386
|
8.35
|
|
|
|
BAR43CFILM |
|
2xSMD-Schottky 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BAR43CFILM |
|
2xSMD-Schottky 30V 0,1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAR43CFILM |
|
2xSMD-Schottky 30V 0,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAR43CFILM |
|
2xSMD-Schottky 30V 0,1A
|
|
8
|
|
|
|
|
BAR43CFILM |
|
2xSMD-Schottky 30V 0,1A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
|
|
154.24
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
CMOS
|
204
|
100.20
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
EVVO
|
440
|
31.56
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
15.88
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
41 626
|
4.86
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
40
|
6.63
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
52
|
3.50
|
|
|
|
MC78LC33NTR |
|
СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2.5%, I=50mA, Udrop=0.22V@10mA, Uinmax=10V, Iq=1.1uA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC78LC33NTR |
|
СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2.5%, I=50mA, Udrop=0.22V@10mA, Uinmax=10V, Iq=1.1uA, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC78LC33NTR |
|
СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2.5%, I=50mA, Udrop=0.22V@10mA, Uinmax=10V, Iq=1.1uA, ...
|
|
|
48.36
|
|
|
|
MC78LC33NTR |
|
СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2.5%, I=50mA, Udrop=0.22V@10mA, Uinmax=10V, Iq=1.1uA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC78LC33NTR |
|
СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2.5%, I=50mA, Udrop=0.22V@10mA, Uinmax=10V, Iq=1.1uA, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
MC78LC33NTR |
|
СН ``low drop`` (Vout=3.3V, tol=2.5%, I=50mA, Udrop=0.22V@10mA, Uinmax=10V, Iq=1.1uA, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
176
|
|
|