IRL540N
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 36A, 140W Logic-Level)
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL540NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL540NS, IRL540NSTRL, IRL540NSTRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-1.0K 1% |
|
ЧИП — резистор 0.125Вт, 1кОм, ±1%, 150 В | FAITHFUL LINK |
|
|
||
|
|
0805-1.0K 1% |
|
ЧИП — резистор 0.125Вт, 1кОм, ±1%, 150 В |
|
1.24 | |||
 |
 |
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) |
|
644.00 | ||
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | ТАИЛАНД |
|
|
|
 |
|
0805-X7R-1.0UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1.0 мкФ, 50 В, X7R, 10% | MURATA |
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-1.0UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1.0 мкФ, 50 В, X7R, 10% |
|
10.00 | ||
| К174УК1 | 48 | 53.09 | ||||||
| К174УК1 | ОРБИТА |
|
|
|||||
| К174УК1 | ДЕЛЬТА |
|
|
|||||
| К174УК1 | САРАНСК |
|
|
|||||
| К73-9-0.047МКФ 100В (10%) |
|
|
