RD15HVF1
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
RD15HVF1 (Радиочастоты и микроволны) Silicon Mosfet Power Transistor, 175mhz - 520mhz, 15w Также в этом файле: RD15HVF1-101
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LMX2316TWD |
|
|
||||||
| LMX2316TWD |
|
|
||||||
| LMX2316TWD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 593 |
|
|||||
| MAR-6 | MINI CIRCUITS |
|
|
|||||
| MAR-6 | MINI CIRCUITS |
|
|
|||||
 |
 |
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный | TEXAS INSTRUMENTS | 4 400 | 19.63 | |
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный | NEC |
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный |
|
24.80 | ||
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный | TEXAS | 17 006 | 14.16 | |
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 794 |
|
|
| RD01MUS2 | MITSUBISHI |
|
|
|||||
| RD01MUS2 | 242 | 111.00 | ||||||
| RD01MUS2 | MIT |
|
|
|||||
|
|
RD06HVF1 |
|
MOSFET UHF, Po=6W(Pin=0.3W/175MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
||
|
|
RD06HVF1 |
|
MOSFET UHF, Po=6W(Pin=0.3W/175MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
||
|
|
RD06HVF1 |
|
MOSFET UHF, Po=6W(Pin=0.3W/175MHz, Vcc=12.5V) |
|
540.00 |
