IRL2910
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 55A, 200W Logic-Level)
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 29A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 55A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL2910 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
