Версия для печати
Технические характеристики IRFR3410TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1690pF @ 25V
Power - Max	3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	DC COMPONENTS	1 371	11.35
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	RECTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S		8 480	3.73
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	RECTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KINGTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	КИТАЙ
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KINGTRONICS
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	MULTICOMP
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KLS
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	COSMO
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	GALAXY ME
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	HOTTECH
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	SEP	218	4.15
		IRFUC20		Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFUC20		Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	VISHAY
		IRFUC20		Транзистор полевой N-канальный 600В 2А			208.52
		IRFUC20		Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	INTERNATIONAL RECTIFIER	27
		IRFUC20		Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	Vishay/Siliconix
		IRFUC20		Транзистор полевой N-канальный 600В 2А	КИТАЙ
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	VISHAY
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень		24	65.60
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	Vishay/Siliconix
		RGP10J			FAIR
		RGP10J			GENERAL SEMICONDUCTOR
		RGP10J			FAIRCHILD
		RGP10J			FAIRCHILD
		RGP10J			GENERAL SEMICONDUCTOR	5 141
		RGP10J
		RGP10J			Fairchild Semiconductor
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		2 267	11.04
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	1 264	42.36
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"