IRFR3410TR


Купить IRFR3410TR ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFR3410TR
Версия для печати

Технические характеристики IRFR3410TR

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs39 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C31A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1690pF @ 25V
Power - Max3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRFL4310 Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL4310 Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W     1 841 12.80 
IRFL4310 Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W   INTERNATIONAL RECTIFIER 20 цена радиодетали
IRFL4310 Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W   МАРОККО Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFL4310 Транзистор полевой N-MOS 100V, 1.6A, 2.1W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLD110 Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLD110 Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLD110 Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень     24 65.60 
IRLD110 Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MUR4100E     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MUR4100E       Заказ радиодеталей 60.80 
    MUR4100E       Заказ радиодеталей 60.80 
    MUR4100E     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    Е193В       Заказ радиодеталей 149.76 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс     2 375 11.04 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   ТОМИЛИНО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   СЗТП 880 42.36 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   РОССИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход