Версия для печати
Технические характеристики IRFP140N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	33A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRFP140N Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP140N datasheet 159.81Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5200+2SA1943 ПАРА		Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)	TOS
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W			130.28
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	МЕКСИКА
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	INFINEON
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	NEC
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C		4	128.52
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	МЕКСИКА
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS	991	33.69
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	1
		NE5532P		Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	344
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		1 141	32.02
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	911	24.57
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 192	39.90
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN		1 814	27.60
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ	2 359	30.06
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ТРАНЗИСТОР	192	13.31
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	БРЯНСК	16 643	31.50
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	МИНСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	УЛЬЯНОВСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	RUS
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ИНТЕГРАЛ
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМН
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ ЭЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"