Версия для печати
Технические характеристики IRFP140N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	33A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRFP140N Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP140N datasheet 159.81Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC5200+2SA1943 ПАРА		Мощные транзисторы NPN (230V, 15А, TO-3)	TOS
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W			130.28
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	МЕКСИКА
		IRFP9140N		Транзистор полевой P-MOS 100V, 21A, 180W	INFINEON
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet			88.00
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	STMicroelectronics
		STP55NF06FP		N-channel 60v - 0.015? - 50a - to-220fp stripfettm ii power mosfet	КИТАЙ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		614	25.76
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	40.28
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 332	16.96
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN		3 493	49.14
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ	984	28.89
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ТРАНЗИСТОР
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	БРЯНСК	14 925	31.80
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	МИНСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	УЛЬЯНОВСК
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	RUS
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	ИНТЕГРАЛ
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМН
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	КРЕМНИЙ ЭЛ	192	14.33
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	12500
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	2244
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	6000
		КТ940А		Транзистор средней мощности структуры NPN	240

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"