IRF9310
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5250pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | PHYCOMP |
|
|
|||||
| 0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | YAGEO |
|
|
|||||
| 1206 20 КОМ 5% | ROYAL OHM |
|
|
|||||
 |
BAS321 | FAIR |
|
|
||||
|
|
BAS321 | NXP |
|
|
||||
|
|
BAS321 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BAS321 | 50 720 | 1.13 | |||||
|
|
BAS321 | NXP | 84 |
|
||||
|
|
BAS321 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BAS321 | HOTTECH |
|
|
||||
|
|
BAS321 | SHIKUES | 16 800 | 1.02 | ||||
|
|
BAS321 | YJ | 94 280 |
1.80 >100 шт. 0.90 |
||||
|
|
BAS321 | KEEN SIDE | 24 |
1.26 >100 шт. 0.63 |
||||
|
|
BAS321 | NEXPERIA | 64 | 1.13 | ||||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | 112 | 24.05 | ||||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS | 200 |
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS |
|
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 211 |
|
|||
| R0805-1 ОМ-5% | 3 968 | 1.85 |
