IRF7416TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 10 КОМ 5% (RC0805JR-0710K) | YAGEO |
|
|
|||||
| 0805 5.1КОМ±5% | FAITHFUL |
|
|
|||||
| EC24-5R6K-5,6 МКГН-10% | 5 | 9.25 | ||||||
 |
 |
SMBJ5.0A-E3/52 |
|
Защитный диод 5В, 600Вт, SMD | VISHAY | 3 887 | 14.70 | |
|
|
|
SMBJ5.0A-E3/52 |
|
Защитный диод 5В, 600Вт, SMD | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0A-E3/52 |
|
Защитный диод 5В, 600Вт, SMD | GENERAL SEMICONDUCTOR | 634 |
|
|
|
|
|
SMBJ5.0A-E3/52 |
|
Защитный диод 5В, 600Вт, SMD | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
SMBJ5.0A-E3/52 |
|
Защитный диод 5В, 600Вт, SMD |
|
11.24 | ||
|
|
|
SMBJ5.0A-E3/52 |
|
Защитный диод 5В, 600Вт, SMD | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
| SS510C | GALAXY |
|
|
|||||
| SS510C | GALAXY ME |
|
|
|||||
| SS510C |
|
|
||||||
| SS510C | 1 |
|
|
|||||
| SS510C | MSKSEMI | 17 626 | 2.49 | |||||
| SS510C | JINGDAO | 944 | 6.30 |
