Версия для печати
Технические характеристики IRF7309TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A, 3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	520pF @ 15V
Power - Max	1.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8223ARZ			Analog Devices Inc
		AD8223ARZ			ANALOG DEVICES
		AD8223ARZ
		AD8223ARZ			4-7 НЕДЕЛЬ	259
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	FAIR
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс			8.28
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	NXP
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	PHILIPS	41
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KLS
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEENSIDE	145	1.11
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	ASEMI
		BAS216		Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс	KEEN SIDE	14 720	1.72  >100 шт.   0.86
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET			13.76
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	МАЛАЙЗИЯ
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	70 532	3.10
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KLS
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN	17 850	3.84
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEENSIDE	4 193	1.96
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	YOUTAI	32 567	3.15
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEEN SIDE	14 144	2.17
		IRLML6302		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	1962
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	TEXAS INSTRUMENTS
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	ANALOG DEVICES
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	ANALOG
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...			310.44
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	ANALOG DEVICES
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	Analog Devices Inc
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	США
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP282GSZ		Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 4 МГц, 9 В/мкс, Iвых = 3 мА, Iп = ...	4-7 НЕДЕЛЬ	163
		TNY268G					108.00
		TNY268G			PI
		TNY268G			POWER INTEGRATIONS
		TNY268G			POWER INTEGRATIONS	36
		TNY268G			4-7 НЕДЕЛЬ	327

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"