КС191Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КС191Б	910	7.94
КС191Б	910	7.94
КС191Б (САРАНСК)	267	8.40
КС191Б (СЗТП)	8	26.46

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А		1 661	4.05
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	RUS
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	СЗТП	80	11.34
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	ФОТОН
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ608А	никель		1 004	117.18
КТ608А	никель	ПЛАНЕТА
КТ608А	никель	МИНСК
КТ608А	никель	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 056	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	24.57
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 752	37.80
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	114	956.34
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		16	552.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	180	1 312.50
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КЦ 405А	Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц		214	25.20