| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0.15МКФ 50 (4X5) |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
|
140
|
3.78
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
ДНЕПР
|
1 188
|
3.12
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
920
|
|
|
|
|
|
|
КД503А |
|
Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс
|
РАДИОДЕТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
220
|
1 171.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
22
|
595.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 244.05
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
|
|
|
ОМЛТ-0,25-22 ОМ-10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С5-35-25 750 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
